天生式AI对闪存提出了很高的哀求，特殊是在数据处理速率和传输效率方面，目前最高的闪存标准是JEDEC协会在2022年推出了UFS 4.0标准，比较上一代，传输速率等方面具有翻倍的提升，相信也是之后旗舰手机乃至新一代AI手机的标配。充电头网也将UFS各代的紧张参数汇总成下表所示，让各位有一个更加全面的理解
顺序读写速率会因不同的设备、测试环境以及芯片厂商的优化等成分而有所差异，故以上均为理论参数大致范围，数据仅供参考。
在这一背景下，各大存储主控芯片厂商也纷纭加快了对UFS 4.0办理方案的布局。
UFS 4.0 主控芯片汇总充电头网汇总了目前市情已知的一些UFS4.0主控芯片，并已汇总成下表所示，方便各位选型和理解。
排名不分先后，按企业英文首字母排序。
KIOXIA铠侠铠侠UFS 4.0铠侠最新一代UFS 4.0闪存芯片供应256GB、512GB和1TB容量规格。这款芯片采取了铠侠的BiCS Flash 3D闪存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速率，并向后兼容UFS 3.1。
与上一代UFS 4.0产品比较，新闪存芯片的顺序写入速率提升15%，随机写入速率提升了50%，随机读取速率提升30%，顺序读取速率不变，依旧坚持在4640MB/s。其余，新产品采取JEDEC标准的9mm×13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小18%，个中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm，1TB的封装厚度为0.9mm。
Micron美光科技美光UFS4.0这款存储基于232层3D NAND技能构建，尺寸只有9×13mm，跟去年6月份发布的11×13mm存储办理方案比较，前者的尺寸缩小了20%，同时也没有影响性能。该存储最高供应1TB空间，顺序读取速率达到了4300MB/s，顺序写入速率达到了4000MB/s。
Phison群联电子群联PS8361PS8361瞄准最高规格的旗舰手机市场，属于UFS 4.0掌握芯片，采取了12nm工艺制造，为四通道设计，最大闪存容量为1TB，搭载第六代LDPC+RAID ECC纠错技能，顺序读写速率可超过4000MB/s，在其每单位mA的读取性能提升下，将能有效延长移动设备的电池利用效率。
SAMSUNG三星三星 UFS 4.0三星新开拓的 UFS 4.0 采取三星第 7 代 V-NAND 和专有掌握器，将实现 4200 MB/s的顺序读取速率和 2800 MB/s 的顺序写入速率，分别是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍旁边。能效同样得到大幅提升。三星全新 UFS 4.0 每毫安 (mA) 电力可供应高达 6.0 MB/s 的顺序读取速率，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同电池容量下，它让智好手机得到更长续航韶光。
三星 UFS 4.0 增加了一个前辈的重放保护内存块 (RPMB)。利用这种设计，对付仅在通过身份验证后才能读取或写入的主要个人数据，存储效率提高了 1.8 倍。这款新型移动存储办理方案极为小巧，最大形状仅 11mm x 13mm x 1mm，最高容量可达 1TB。
SiliconMotion慧荣科技慧荣SM2756SM2756主控芯片可以说是目前最前辈的UFS4.0主控办理方案之一，基于6nmEUV工艺技能，采取了双通道设计，利用了MIPIM-PHY低功耗架构，使其在性能与功耗间取得完美的平衡，知足了当今顶级人工智能移动装置24小时运算的需求。
在性能方面，SM2756能够供应超过4,300MB/s的顺序读取速率和超过4,000MB/s的顺序写入速率，同时支持最新的3DTLC和QLCNAND闪存技能，并能处理高达2TB的存储容量。
充电头网总结天生式AI技能的迅猛发展，智能设备的存储性能需求也在不断提升。UFS 4.0作为当前存储技能的前沿标准，正在逐渐成为智能终真个标配。
UFS 4.0不仅在传输速率方面大幅提升，更在功耗掌握和数据安全性上进行了优化，使得智好手机和平板电脑等设备在处理天生式AI任务时具备更高的能效与续航表现。通过采取更前辈的工艺技能以及NAND闪存架构，这些主控芯片能够为设备供应更高的性能，知足未来AI时期的严苛需求。