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罗姆社区“R教室”直达入口（社区首页左下方-技能支持-R教室），从社区首页亦可快速到达“R教室”学习知识。
“R教室”内容先容
如你所见，“R教室”包罗万象，包含了“根本知识、Tech Info、设计资料、产品信息、研讨会信息” 五个版块，涵盖了电源、功率转换、切换电路时所需的电源IC或功率元器件的根本知识，电源设计的最新信息动态，以及AC/DC转换器、DC/DC转换器、SiC等功率元器件的选型手册、设计手册和评估套件等运用信息的下载。无论是详细器件还是运用方向，都能为工程师供应优质又便捷的学习内容。
R教室”种别先容
根本知识/Basic knowledge：环绕电源、功率转换、切换电路时所需的电源IC或功率元器件，讲解根本知识以及设计、评估和通报函数的基本。
Tech Info：先容电源设计的最新信息、动态和产品信息，包含“重点必看”、“来自工程师的声音”以及“创造发明”三个模块。
设计资料：可下载AC/DC转换器、DC/DC转换器、功率元器件的选择手册、设计手册、评估套件等运用信息。
产品信息：可以通过产品阵容树状构造和产品特点，轻松地找到最得当的电源IC、Si以及SiC材料的功率场效晶体管和二极管等干系产品。
为了庆祝罗姆”R教室”的全新上线，小R特意准备了社区送福利活动，感兴趣的小伙伴们连续往下看吧
活动办法：在本帖下方留言，说出“R教室”中你喜好或感兴趣的内容，并说出缘故原由（文章内容&产品种别&资料等），每人每天最多回答4次(留言不可重复）
活动褒奖：按照规则留言即可得到50金币/次，个中100楼可得200ROHM金币、200楼可得400ROHM金币，以此类推（金币积累下来有何用？？先去商城看一看）
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温馨提示/Tips：严禁注水回答，例如“顶”，“喜好”等，越走心的留言获奖的可能性越大呦~
故障打消(Trouble Shooting) ③：当VDS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的VDS耐压时
针对这种故障③的对策有三种旁边，个人认为还该当针对所设计的电路的功率大小也有关联
用ROHM Arduino传感器套件打造DIY万圣节僵尸面具，
该传感器能够检测到任何在面具前面移动的物体，并且会亮起赤色，恐吓那些不速之客！
可能上手随意马虎，开拓较快
采取4引脚封装的SiC MOSFET : SCT3xxx xR系列
采取4引脚封装
4引脚封装TO-247-4L可将开关损耗降落约35％,,,,,,,,,,,,,在设计汽车电源时可以节省功耗,而且可以设计电路板时节省设计布局空间至关主要
采取4引脚封装 开关损耗比以往产品低35％，先容了新的器件 SCT3xxx xR系列，系列是面向做事器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等哀求高效率的运用开拓而成的沟槽栅极构造SiC MOSFET，采取4引脚封装。这次共推出6款机型（650V耐压和1200V耐压）。
采取4引脚封装开关损耗比以往产品低35％。近年来，随着AI和IoT的发展与遍及，对云做事的需求日益增加，与此同时，在环球范围对数据中央的需求也随之增长。数据中央所利用的做事器正在向大容量、高性能方向发展，在这种背景下，如何降落功耗就成为一个亟需办理的课题。因此，损耗更少的SiC元器件备受瞩目。SCT3xxx xR系列的性能非常适用于做事器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等运用。
实装PCB板布局干系的把稳事变:
要点①：当VCC线受到开关噪声的影响时，可能会误动作。因此，建议在VCC引脚和SR_GND引脚之间对电容器CVCC独立布线，并只管即便连接到引脚的附近。
要点②：连接于SH_IN引脚的线路是高阻抗线。为了避免串扰，布局时请只管即便缩短布线，并且不要与开关线平行布线。
要点③：MAX_TON引脚在受开关影响时会影响到逼迫关断韶光，因此建议将RTON、R3、C1尽可能地靠近MAX_TON引脚连接，并通过独立布线连接SR_GND引脚。
要点④：在同步整流掌握中，须要准确监测二次侧MOSFET M2产生的VDS2，因此请务必通过独立布线将IC的DRAIN引脚连接到M2的漏极，将SR_GND引脚连接到M2的源极。
要点⑤：建议通过独立布线将分流稳压器GND（SH_GND）连接到二次侧输出的GND，将反馈电阻RFB1和RFB2连接到二次侧输出VOUT。
要点⑥：由于DRAIN引脚是振幅约0V－100V的开关线，因此请尽可能地采取短且细的布线。
要点⑦：在MOSFET M2的漏极－源极间插入缓冲电路时，变压器输出和M2的源极请尽可能地采取短且粗的独立布线。
关键要点:在改为二次侧同步整流电路的过程中，大多数PCB板布局干系的把稳事变，都因此开关电源电路的布局为根本的。
采取4引脚封装：TO-247-4L，可最大限度地发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能。和以往的3引脚封装TO-247N比较，开关损耗可降落约35％，提高了效率。
故障打消(Trouble Shooting) ② : 当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时通过减小滤波用电阻R1的值，使VDS2的谐振振幅降落，可防止二次侧MOSFET误导通。作为故障①的对策，曾提到过加大R1值的方法，但是如果R1过大，或最初的选择值过大，就须要重新向减小的方向调度R1的值。
知足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的SiC MOSFET
车载用SiC MOSFET又增10个型号，业界丰富的产品阵容！
为了延长xEV的续航间隔，哀求车载充电器实现高输出、高效率,毕竟车载充电器是汽车所必须的产品,而且车载充电器用的SiC MOSFET产品的好坏也关系到安全问题
SiC的优点
如前文所述，利用SiC可以大幅度降落能量损耗。当然，这是SiC很大的优点，接下来希望再理解一下低阻值、高速事情、高温事情等SiC的特色所带来的上风。
通过与Si的比较来进行先容。”低阻值”可以纯挚阐明为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件（芯片）的面积。应对大功率时，有时会利用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块。例如，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10旁边。
关于“高速事情”，通过提高开关频率，变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10旁边的例子。
“高温事情”是指容许在更高温度下的事情，可以简化散热器等冷却机构。
关键要点:
・开拓SiC是能源问题的一大办理方案。
・SiC具有降落损耗、实现小型化的巨大上风。
采取4引脚封装开关损耗比以往产品低35％。近年来，随着AI和IoT的发展与遍及，对云做事的需求日益增加，与此同时，在环球范围对数据中央的需求也随之增长。SCT3xxx xR系列的性能非常适用于做事器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等运用。
拥有共91种机型！
LDO线性稳压器的新产品阵容决定实际输出电流的要素。
新LDO线性稳压器的G系列、H系列、I系列，产品阵容共拥有91种机型。输出电压有可变型0.8V～13V，及固定型从1V到12V的共14种电压，输出精度高达1%。输出电流有0.3A～1.5A共4种电流，这些组成强大矩阵
所谓反激式
反激办法是常利用在至100W旁边的开关电源上的方法。
反激办法分有自励型的RCC(Ringing Choke Converter）、他励型的PWM型、利用共振技能RCC准谐振型等3种。
关键要点:・利用变压器的DC/DC转换运用范围较大，因此必须熟习其基本事情模式。
关于安装的课题 －啸叫
①通过材料进行改进
开拓出利用了逆压电效应很低、即变形较小的电介质材料的MLCC。基本上如右图所示，低介电常数材料的失落真更低。例如，有LD（Low Distortion）系列等可降落啸叫的产品群。
②通过电路板设计进行改进
这是PCB板方面的改进。例如，对付同一电源线，如图所示，两面安装相同的MLCC。两个MLCC的振动相反相互抵消，振动被缓解。
③通过构造进行改进：LW（长度-宽度）逆转构造
MLCC的电极间的长度常日大于宽度。通过缩短电极间的长度，可减轻导致PCB板振动的电极间的变形。如图所示，准备了宽度较电极间宽的类型的MLCC。图中称为“RGC”的是逆转构造型。
④通过构造进行改进：金属框架型
在波折应力的对策中提过的金属框架型MLCC也有助于改进啸叫。从构造急速可以想象到，金属框架接管MLCC的振动。
SCT3xxx xR系列，旨在通过采取最新的沟槽栅极构造，实现更低的导通电阻和传导损耗；通过采取4引脚封装，进一步发挥出SiC本身具有的高速开关性能，并降落开关损耗。
SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机器方面都非常稳定。SiC存在各种多型体（多晶型体），它们的物理特性值各有不同。
理解了 SiC功率元器件具有耐高温、耐高压、低导通电阻、高速的特点。是不错的半导体材料。
简化48V稠浊动力系统的电源，降落损耗
两步变为一步，实在有诸多好处。首先，效率得到改进。而且，2个电源电路变为1个，可减少PCB板的安装空间和元器件数量。